芯恩集成电路取得等离子增强原子层沉积设备专利,有利于使不同晶圆上的沉淀物薄膜达到相同厚度
金融界在2023年3月8日发布消息,据国家知识产权局的信息显示,芯恩(青岛)集成电路有限公司已成功获得一项名为“等离子增强原子层沉积设备”的专利授权,该专利的授权公告号为CN 222557054 U,申请日期为一年前的2024年2月。 详细介绍了该等离子增强原子层沉积设备的设计和功能,该设备包括等离子管、电极组件和气体输入管路,等离子管由多个等离子支管组成,这些支管沿设备高度方向依次排列,电极组件和气体输入管路均设有与等离子支管相对应的组别,以确保不同等离子支管内的前驱体电离程度可分别控制,这种设计有助于确保同一批次晶圆上的沉淀物薄膜达到相同的厚度,大大提高了产品的均匀性。 天眼查资料显示,芯恩(青岛)集成电路有限公司是一家在青岛市成立的企业,主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业,该公司注册资本达1006720.789212万人民币,通过天眼查大数据分析,芯恩(青岛)集成电路有限公司对外投资了2家企业,参与了166次招投标项目,拥有15条商标信息和576条专利信息,该企业还拥有55个行政许可,展现了其强大的实力和丰富的业务范畴。